APT6025BVRG和IXFH30N60P

对比图

型号 APT6025BVRG IXFH30N60P APT6025BVR

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3Pin(3+Tab) TO-247N沟道 600V 30ATO-247 N-CH 600V 25A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 25.0 A 30.0 A -

漏源极电阻 - 240 mΩ -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 370 W 500 W -

输入电容 5.16 nF 4.00 nF -

栅电荷 275 nC 82.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 30.0 A 25A

输入电容(Ciss) 4300pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 370000 mW 500W (Tc) -

上升时间 12 ns - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -