BAS31T/R和BAS31,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS31T/R BAS31,215 BAS31

描述 DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal DiodeNXP  BAS31,215  二极管 小信号, 双系列, 110 V, 150 mA, 1.25 V, 50 ns, 10 ADiode: switching; SMD; 120V; 0.2A; 50ns; 300mW; Package: reel, tape

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

引脚数 - 3 3

电容 35.0 pF - -

额定功率 - - 300 mW

负载电流 - - 0.2 A

正向电压 - 1V @200mA 1.25 V

反向恢复时间 - 50 ns 50 ns

正向电流(Max) - 250 mA 0.2 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 350 mW

针脚数 - 3 -

正向电流 - 150 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 10 A -

正向电压(Max) - 1.25 V -

工作结温 - 150℃ (Max) -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台