2N5088G和BC549

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5088G BC549 2N5088TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N5088G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 50 mA, 50 hFE0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.1A Ic, 110 - 800 hFENPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Continental Device Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-226-3 - TO-92-3

频率 50 MHz - 50 MHz

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 50.0 mA - 100 mA

极性 NPN - NPN

耗散功率 625 mW - 625 mW

集电极击穿电压 - - 35.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.05A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @100µA, 5V - 300

最大电流放大倍数(hFE) 900 - 900

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

针脚数 3 - -

增益频宽积 50 MHz - -

直流电流增益(hFE) 50 - -

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-226-3 - TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - Box

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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