2N3811L和JANS2N3811

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3811L JANS2N3811 JANS2N3811L

描述 PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTORTO-78 PNP 60V 0.05ATO-78 PNP 60V 0.05A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 6 6 -

封装 TO-78-6 TO-78 TO-78

耗散功率 0.35 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 300 @1mA, 5V - -

额定功率(Max) 350 mW - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW -

极性 - PNP PNP

集电极最大允许电流 - 0.05A 0.05A

封装 TO-78-6 TO-78 TO-78

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -

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