对比图
型号 IPB80N04S3-03 IPB80N04S303ATMA1 SPB80N04S2-H4
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorD2PAK N-CH 40V 80A的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 80.0 A
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 188 W 188W (Tc) 300W (Tc)
输入电容 - - 5.89 nF
栅电荷 - - 148 nC
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A
输入电容(Ciss) 7300pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds) 5890pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 188W (Tc) 188W (Tc) 300W (Tc)
上升时间 17 ns 17 ns -
下降时间 14 ns 14 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率(Max) 188 W - -
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2
长度 10 mm - -
宽度 9.25 mm - -
高度 4.4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead