IS42S16800F-6BL和IS45S16800F-6BLA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16800F-6BL IS45S16800F-6BLA1 IS42S16800F-6BLI

描述 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3vSDRAM, 8M x 16bit, 5.4ns, 并行接口, BGA-54

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 BGA-54 BGA-54

供电电流 120 mA 120 mA 120 mA

针脚数 - - 54

位数 16 16 16

存取时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 6.5ns, 5.4ns 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 TFBGA-54 BGA-54 BGA-54

高度 - 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 PB free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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