AD648JR和AD648JRZ-REEL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD648JR AD648JRZ-REEL TL072CD

描述 双路精密,低功耗BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Power BiFET Op AmpIC OPAMP JFET 1MHz 8SOICTL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 36.0 V

输出电流 - - 60 mA

供电电流 - 340 µA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 0.5 W 680 mW

共模抑制比 - 70 dB 70 dB

转换速率 1.80 V/μs 1.80 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 - 1 MHz 4 MHz

输入补偿电压 - 750 µV 3 mV

输入偏置电流 - 5 pA 20 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - - 4 MHz

耗散功率(Max) - 500 mW 680 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

输入电容 - 3.00 pF -

输入阻抗 - 3.00 TΩ -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 1.5 mm - 1.25 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

军工级 Yes No -

ECCN代码 - - EAR99

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