对比图
型号 IXFK32N100Q3 IXFK32N90P IXFX32N100P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度TO-264AA N-CH 900V 32ATrans MOSFET N-CH 1kV 32A 3Pin(3+Tab) PLUS 247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3
引脚数 3 - 3
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 1250 W 960W (Tc) 960W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 900 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 32A 32A -
输入电容(Ciss) 9940pF @25V(Vds) 10600pF @25V(Vds) 14200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1250W (Tc) 960W (Tc) 960W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 320 mΩ - -
漏源击穿电压 1000 V - -
上升时间 15 ns - 55 ns
额定功率(Max) 1250 W - -
下降时间 12 ns - 43 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
阈值电压 - - 6.5 V
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3
长度 19.96 mm - -
宽度 5.13 mm - 5.21 mm
高度 26.16 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free