CC1110F8RSPR和CC2510F8RSPR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CC1110F8RSPR CC2510F8RSPR CC1110F8RSP

描述 低功耗的SoC (系统级芯片)与MCU,存储器,低于1GHz的射频收发器和USB控制器 Low-Power SoC (System-on-Chip) with MCU, Memory,Sub-1 GHz RF Transceiver, and USB Controller低功耗的SoC (系统级芯片)与MCU,存储器, 2.4 GHz射频收发器和USB控制器 Low-Power SoC (System-on-Chip) with MCU, Memory, 2.4 GHz RF Transceiver, and USB Controller低功耗的SoC (系统级芯片)与MCU,存储器,低于1GHz的射频收发器和USB控制器 Low-Power SoC (System-on-Chip) with MCU, Memory, Sub-1 GHz RF Transceiver, and USB Controller

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 RF射频器件RF射频器件RF射频器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 20 36 20

封装 VFQFN-36 VFQFN-36 QFN-36

频率 300MHz ~ 348MHz,391MHz ~ 464MHz,782MHz ~ 928MHz 2.4 GHz 300MHz ~ 348MHz,391MHz ~ 464MHz,782MHz ~ 928MHz

电源电压(DC) 2.00V (min) 2.00V (min) 2.00V (min)

RAM大小 1024 B 1 KB 1024 B

数据速率 500 kbps 500 kbps 500 kbps

FLASH内存容量 8192 B 8192 B 8192 B

输出功率 10 dBm 1 dBm 10 dBm

待机电流 300 nA 300 nA 300 nA

天线接线 Differential Differential Differential

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V

封装 VFQFN-36 VFQFN-36 QFN-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR NLR NLR

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