IS43TR85120A-125KBL和IS43TR85120A-125KBL-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43TR85120A-125KBL IS43TR85120A-125KBL-TR

描述 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS动态随机存取存储器 4G, 1.5V, 1600MT/s 512M x 8 DDR3

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 78 78

封装 BGA-78 BGA-78

供电电流 165 mA -

位数 8 8

存取时间 20 ns 20 ns

存取时间(Max) 20 ns -

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

封装 BGA-78 BGA-78

工作温度 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Last Time Buy

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -

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