STD12NM50N和STD12NM50ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD12NM50N STD12NM50ND

描述 N沟道500 V, 0.29 Ω , 11一个的MDmesh ?二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FPN沟道500 V, 0.29 Ω , 11 A, FDmesh ?二功率MOSFET (具有快速二极管) , D2PAK , DPAK N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK, DPAK

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V -

额定电流 11.0 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 380 mΩ 0.29 Ω

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 1 kW 100 W

输入电容 880 pF -

栅电荷 30.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V -

连续漏极电流(Ids) 6.70 A, 11.0 A 11A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 940pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 100 W 100 W

下降时间 14 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc)

针脚数 - 3

阈值电压 - 4 V

长度 6.6 mm -

宽度 6.2 mm -

高度 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

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