对比图
型号 IXTH140P05T IXTP140P05T IXTA140P05T
描述 TO-247P-CH 50V 140AP沟道 50V 140AIXTA 系列 单 P沟道 50 V 8 mOhm 298 W 功率 Mosfet - TO-263
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 9 mΩ 9 mΩ -
极性 P-CH - -
耗散功率 298 W 298 W 298W (Tc)
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 50 V 50 V -
连续漏极电流(Ids) 140A - -
上升时间 34 ns 34 ns -
输入电容(Ciss) 13500pF @25V(Vds) 13500pF @25V(Vds) 13500pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns 25 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 298W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc)
长度 16.26 mm 10.66 mm -
宽度 5.3 mm 4.83 mm -
高度 21.46 mm 16 mm -
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free