对比图
型号 BSP61 BSP61,115
描述 PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington Transistor复合晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-223 TO-261-4
引脚数 - 4
额定功率 1.5 W -
最小电流放大倍数(hFE) 1000 2000 @500mA, 10V
针脚数 - 4
耗散功率 - 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V
最大电流放大倍数(hFE) - 1000
额定功率(Max) - 1.25 W
直流电流增益(hFE) - 1000
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
增益带宽 - 200 MHz
耗散功率(Max) - 1250 mW
长度 6.5 mm 6.7 mm
宽度 3.5 mm 3.7 mm
高度 1.6 mm 1.7 mm
封装 SOT-223 TO-261-4
产品生命周期 End of Life Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅
工作温度 - 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99