IXDN614SI和IXDN614SITR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDN614SI IXDN614SITR

描述 IC BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MS-012BA, SOIC-8, MOSFET Driver门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 25ns, 18ns 25ns, 18ns

输出接口数 1 1

上升时间 35 ns -

输出电流(Max) 14 A -

下降时间 25 ns -

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

下降时间(Max) - 25 ns

上升时间(Max) - 35 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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