IRF2807S和IRF2807STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2807S IRF2807STRLPBF IRF2807STRRPBF

描述 D2PAK N-CH 75V 82AN 沟道 75 V 230 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7NC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 200 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 7.50 MΩ 0.013 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 230W (Tc) 200 W 230 W

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 - 3820 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 82.0 A 82A 82.0 A

上升时间 79.0 ns 64 ns -

输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 230 W 230 W

下降时间 - 48 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) -

产品系列 IRF2807S - IRF2807S

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 82.0 A - -

漏源击穿电压 75.0V (min) - -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台