2N918和MPS3563

对比图

型号 2N918 MPS3563 MMBT918LT1

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-72, 4 PIN放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconVHF/UHF Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-226-3 -

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 850 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @8mA, 10V -

额定功率(Max) - 350 W -

封装 - TO-226-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -