ADR420BRZ-REEL7和REF191GSZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR420BRZ-REEL7 REF191GSZ REF191ESZ-REEL

描述 超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage ReferencesANALOG DEVICES  REF191GSZ  电压基准, 精准微功率, 系列 - 固定, REF191系列, 2.048V, NSOIC-8精密微功耗,低压差电压基准 Precision Micropower, Low Dropout Voltage References

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - 45.0 µA -

输入电压(DC) 18.0V (max) 3.00V ~ 15.0V 15.0V (max)

输出电压 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流 10 mA 30 mA 30 mA

供电电流 600 µA 45 µA 45 µA

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 -

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输入电压(Min) - 2.3 V -

输出电压(Max) 2.048 V 2.058 V -

输出电压(Min) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流(Max) 10 mA 30 mA 30 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.05 % ±10 mV ±2 mV

额定电压 - 2.048 V -

输入电压 4V ~ 18V 3V ~ 15V 3V ~ 15V

容差 ±0.05 % - ±0.1 %

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±25 ppm/℃ ±5 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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