6116LA35TDB和CY7C128A-35PC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA35TDB CY7C128A-35PC 6116LA35TPG

描述 SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 35ns 24Pin CDIP Tube2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAMSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 35ns 24Pin PDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 CDIP DIP-24 DIP

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 - 35.0 GHz -

存取时间 - 35.0 ns -

内存容量 - 16000 B -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 CDIP DIP-24 DIP

高度 - - 3.3 mm

长度 32.5 mm - -

宽度 7.62 mm - -

厚度 3.56 mm - -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

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