对比图
型号 IRF3709SPBF IRF3709STRR IRF3709STRLPBF
描述 D2PAK N-CH 30V 90AD2PAK N-CH 30V 90AINFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 90A 90A 90A
输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds)
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
额定功率 120 W - 120 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 10.5 mΩ
阈值电压 - - 20 V
输入电容 - - 2672pF @16V
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 171 ns - 171 ns
下降时间 9.2 ns - 9.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅