1N4371D-1E3TR和JANTXV1N4371A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4371D-1E3TR JANTXV1N4371A-1 JANTX1N4371A-1

描述 DO-35 2.7V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 500 mW - 480 mW

稳压值 2.7 V 2.7 V 2.7 V

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

测试电流 - 20 mA 20 mA

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 - - 5.08 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司