对比图
型号 IXFB70N60Q2 IXFK64N60P3 IXFK64N60P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N60P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 80 mΩ 0.1 Ω 0.096 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 890 W 1.13 kW 1.04 kW
阈值电压 - 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 64A 64.0 A
上升时间 25 ns 17 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 7200pF @25V(Vds) 9900pF @25V(Vds) 12000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1130 W -
下降时间 12 ns 11 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 890W (Tc) 1130W (Tc) 1040W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 64.0 A
输入电容 - - 1.15 nF
栅电荷 - - 200 nC
漏源击穿电压 600 V - 600 V
通道数 1 - -
长度 20.29 mm 19.96 mm -
宽度 5.31 mm 5.13 mm -
高度 26.59 mm 26.16 mm -
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99