MPSW13和PN100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW13 PN100 BC558A

描述 一瓦达林顿晶体管( NPN硅) One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)NPN通用放大器 NPN General Purpose AmplifierNPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92 TO-226-3 TO-92

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 45 V -

集电极最大允许电流 1A 0.5A -

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 500 mA -

耗散功率 - 625 mW -

增益频宽积 - 250 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 450 -

额定功率(Max) - 625 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625 mW -

封装 TO-92 TO-226-3 TO-92

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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