对比图
描述 VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistor射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs射频功率MOSFET晶体管200W ， 2-175MHz ， 28V RF Power MOSFET Transistor 200W, 2-175MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com
分类 晶体管晶体管MOS管
安装方式 Flange Screw Screw
封装 SOT123A M-113 -
引脚数 - 4 4
电源电压(DC) 28.0 V - -
额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V -
额定电流 3.00 A 2.50 A -
漏源极电压(Vds) 65.0 V 65.0 V -
漏源击穿电压 65.0V (min) 65.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.50 A -
输出功率 15.0 W 15 W -
增益 13.0 dB 13.5 dB -
频率 - 400 MHz -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 58.3 W 62500 mW
输入电容 - 23.0 pF -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
测试电流 - 25 mA -
输入电容(Ciss) - 23pF @28V(Vds) -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 58300 mW 62500 mW
额定电压 - 65 V -
封装 SOT123A M-113 -
长度 - 24.89 mm -
宽度 - 6.48 mm -
高度 - 7.11 mm -
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk Box Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -