SI5433BDC-T1-GE3和SI5441DC-T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI5433BDC-T1-GE3 SI5441DC-T1 NTHS5443T1G

描述 MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8MOSFET 20V 5.3A 2.5WP 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SMD-8 - SMD-8

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -3.60 A

漏源极电阻 - 55.0 mΩ 0.056 Ω

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 1.3W (Ta) 1.30 W 1.3 W

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) - -3.90 A -3.60 A, 4.90 A

上升时间 - - 14 ns

额定功率(Max) - - 1.3 W

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) - 1.3W (Ta)

长度 - - 3.1 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1.1 mm

封装 SMD-8 - SMD-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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