IRF9Z24NPBF和IRF9Z24PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9Z24NPBF IRF9Z24PBF IRF9Z24N

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9Z24NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 12A, TO-220AB 新功率MOSFET Power MOSFETTO-220AB P-CH 55V 12A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) -55.0 V - -55.0 V

额定电流 -12.0 A - -12.0 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.175 Ω 0.28 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 45 W 60 W 45.0 W

产品系列 IRF9Z24N - IRF9Z24N

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 -55.0 V - -55.0 V

连续漏极电流(Ids) -12.0 A -11.0 A 12.0 A

上升时间 55 ns - 55 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 570pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 60 W -

下降时间 37 ns - 37 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 45000 mW - 45000 mW

额定功率 - 60 W -

阈值电压 - 2V ~ 4V -

长度 10.54 mm - -

高度 15.24 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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