对比图
型号 BSM100GD120DN2 MWI100-12A8
描述 IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19Pin
数据手册 --
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Chassis
引脚数 - 19
封装 - E3
耗散功率 - 640000 mW
工作温度(Max) - 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) - 640000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V
输入电容(Cies) - 6.5nF @25V
额定功率(Max) - 640 W
长度 - -
宽度 - -
高度 - 17 mm
封装 - E3
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - -
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - -