对比图
描述 F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。1Mb的串行3V F-RAM存储器 1Mb Serial 3V F-RAM Memory
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
频率 40 MHz -
供电电流 3 mA -
针脚数 8 -
时钟频率 40 MHz -
存取时间 18 ns -
存取时间(Max) 18 ns 18 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V -
电源电压(Min) 2 V -
长度 4.97 mm -
宽度 3.98 mm -
高度 1.47 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8
重量 0.0086400280352 kg -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99