ADR433AR和ADR433ARM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR433AR ADR433ARM ADR433ARMZ

描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability3.0V 至 4.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC MSOP MSOP-8

容差 - - ±0.13 %

输入电压(DC) 18.0V (max) 18.0V (max) 18.0V (max)

输出电压 3.00 V 3.00 V 3 V

输出电流 ≤30.0 mA ≤30.0 mA 30 mA

供电电流 - - 800 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) - - 20 V

输出电压(Max) - - 3 V

输出电压(Min) - - 3 V

输出电流(Max) - - 30 mA

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

精度 - - ±0.13 %

额定电压 - - 3 V

输入电压 - - 5V ~ 18V

长度 - - 3 mm

宽度 - - 3 mm

高度 - - 0.85 mm

封装 SOIC MSOP MSOP-8

工作温度 - - -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±10.0 ppm/℃ ±10.0 ppm/℃ ±10 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube, Bulk Tube, Bulk Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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