对比图
型号 NE5532DR SA5532NG MC33172DR2G
描述 Texas Instruments低噪声通用运放MC33171/2/4，MCV33172，低功率，单电源 3 V 至 44 V，运算放大器，ON SemiconductorMC33171（单路），MC33172（双路），MC33174（四路） 低电源电流：每个放大器 180 μA 宽带宽：1.8 MHz 高转换速率：2.1 V/μs 低输入偏置电压：2 mV NCV33172 适用于汽车应用；符合 AEC-Q100 ### 运算放大器，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8
无卤素状态 - - Halogen Free
输出电流 - - 5 mA
供电电流 8 mA 8 mA 220 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 - 8
共模抑制比 70dB ~ 100dB 70 dB 90 dB
带宽 10 MHz 10.0 MHz 1.8 MHz
转换速率 9.00 V/μs 9.00 V/μs 2.10 V/μs
增益频宽积 10 MHz 10 MHz 1.8 MHz
输入补偿电压 500 µV 500 µV 2 mV
输入偏置电流 200 nA 200 nA 20 nA
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 10 MHz - 1.8 MHz
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 80 dB
电源电压 - - 3V ~ 44V
电源电压(Max) 30 V - 44 V
电源电压(Min) 10 V - 3 V
耗散功率 - 1200 mW -
耗散功率(Max) - 1200 mW -
电源电压(DC) 18.0 V - -
工作电压 5V ~ 15V - -
输入补偿漂移 0.00 V/K - -
长度 4.9 mm 9.27 mm 5 mm
宽度 3.91 mm 6.35 mm 4 mm
高度 1.58 mm 5.33 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -