对比图
型号 2N6804 IRF9133 IRF9130
描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AATO-220P-CH 60V 10AINFINEON IRF9130 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Harris Samsung (三星) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-220 TO-204
引脚数 - - 2
极性 - P-CH -
漏源极电压(Vds) - 60 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 10A -
针脚数 - - 2
漏源极电阻 - - 0.3 Ω
耗散功率 - - 75 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容(Ciss) - - 860pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 75000 mW
封装 - TO-220 TO-204
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
RoHS标准 - - Non-Compliant
含铅标准 - - Lead Free