PUMD10和PUMD10,115

对比图

型号 PUMD10 PUMD10,115 MUN5335DW1T1G

描述 NXP  PUMD10  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363NXP  PUMD10,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6

针脚数 6 6 -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 200 mW 200 mW 187 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 100 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 300 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 100 100 140

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 385 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

最大电流放大倍数(hFE) - - 80 @5mA, 10V

高度 1 mm 1 mm 0.9 mm

封装 SOT-363 SOT-363-6 SC-70-6

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.35 mm - 1.25 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 - - EAR99