对比图
型号 FDC6306P_NL FDC6506P FDC6312P
描述 Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6Pin SuperSOT T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6506P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 170 mohm, -10 V, -1.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6312P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.3 A, -20 V, 115 mohm, -4.5 V, -900 mV
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 6
封装 SuperSOT TSOT-23-6 TSOT-23-6
额定电压(DC) - -30.0 V -20.0 V
额定电流 - -1.80 A -2.30 A
针脚数 - 6 6
漏源极电阻 - 170 mΩ 115 mΩ
极性 P-CH P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 - 960 mW 960 mW
输入电容 - 190 pF 467 pF
栅电荷 - 2.30 nC 4.40 nC
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 - 30 V 20.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) 1.9A 1.80 A 2.30 A
上升时间 - 8 ns 13 ns
输入电容(Ciss) - 190pF @15V(Vds) 467pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 700 mW 700 mW
下降时间 - 2 ns 8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 0.96 W 960 mW
额定功率 - 0.96 W -
通道数 - 2 -
长度 - 3 mm 3 mm
宽度 - 1.7 mm 1.7 mm
高度 - 1 mm 1 mm
封装 SuperSOT TSOT-23-6 TSOT-23-6
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR