IXFV18N60P和IXFV18N60PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV18N60P IXFV18N60PS IXTV18N60P

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 18.0 A 18.0 A 18.0 A

漏源极电阻 400 mΩ 400 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

输入电容 2.50 nF 2.50 nF 2.50 nF

栅电荷 50.0 nC 50.0 nC 49.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18.0 A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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