PIP3115-B和VNP5N07

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIP3115-B VNP5N07 PIP3115-B,118

描述 逻辑电平TOPFET Logic level TOPFET? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTrans MOSFET N-CH 50V 8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管FET驱动器MOS管

基础参数对比

封装 TO-263 TO-220-3 TO-263-3

安装方式 - Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 40.0 W 31000 mW 40 W

输出接口数 - 1 1

上升时间 - 60.0 ns 20000 ns

输出电流(Max) - 3.5 A 8 A

下降时间 - - 16000 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定电压(DC) - 70.0 V -

额定电流 - 5.00 A -

漏源极电阻 - 200 mΩ -

漏源击穿电压 - 70.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 5.00 A -

输入数 - 1 -

耗散功率(Max) - 31000 mW -

封装 TO-263 TO-220-3 TO-263-3

长度 - - 10.3 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 4.5 mm

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99 -

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