K6T4008C1B-GB55和K6T4008C1C-GB55

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K6T4008C1B-GB55 K6T4008C1C-GB55 R1LP0408CSP-5SI

描述 SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 55ns 32Pin SOP4Mbit SRAM 55ns 32-SOP - K6T4008C1C-GB55宽温度范围版本4M SRAM ( 512千字× 8位) Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword × 8-bit)

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Samsung (三星) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 SOP SOP SOP

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 32

封装 SOP SOP SOP

高度 - - 2.75 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - - Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - PB free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

电源电压(DC) - - 4.50V (min)

工作电压 - - 5 V

位数 - - 8

存取时间 - - 55 ns

内存容量 - - 500000 B

存取时间(Max) - - 55 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 - - 5 V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

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