对比图
型号 ISL9N315AD3ST ISL9N318AD3ST FDD8878
描述 ISL9N315AD3ST N沟道MOSFET 30V 30A TO-252/D-PAK marking/标记 N315AD 仿真模型/仿真模型N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8878 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-252 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 40.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 28.0 mΩ 18.0 mΩ 0.011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 55.0 W 55 W 40 W
阈值电压 - - 1.2 V
输入电容 - - 880 pF
栅电荷 - - 19.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 40.0 A
上升时间 - - 79 ns
输入电容(Ciss) - - 880pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 40 W
下降时间 - 28 ns 27 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - - 40W (Tc)
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252 TO-252-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99