BLF248和MRF141G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF248 MRF141G BLF248,112

描述 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor射频功率场效应管300W , 175MHz的, 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28VTrans RF MOSFET N-CH 65V 25A 5Pin CDFM Bulk

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Flange Flange Screw

封装 SOT-262 375-04 SOT-2621

引脚数 - 5 5

电源电压(DC) 28.0 V - -

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 25.0 A - 25 A

漏源极电压(Vds) 65.0 V - -

漏源击穿电压 65.0V (min) 65.0V (min) -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A - -

输出功率 300 W 300 W 300 W

增益 10.0 dB 14 dB 11.5 dB

频率 - 175 MHz 225 MHz

输入电容(Ciss) - 350pF @28V(Vds) 500pF @28V(Vds)

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - 500000 mW 500000 mW

耗散功率 - 500000 mW -

测试电流 - 500 mA -

额定电压 - 65 V -

封装 SOT-262 375-04 SOT-2621

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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