SI1024X-T1-E3和SI1024X-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1024X-T1-E3 SI1024X-T1-GE3 SI1024X-E3

描述 MOSFET 2N-CH 20V 485mA SOT563FTrans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6Pin SOT-563 T/RPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SC-89-6 SC-89-6 -

耗散功率 250 mW - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SC-89-6 SC-89-6 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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