MXSMBJ100AE3和SMBJ100A-E3/52

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MXSMBJ100AE3 SMBJ100A-E3/52 SMBJ100A-E3

描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2PinTRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay SemiconductorDIODE 600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2Pin, Transient Suppressor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

长度 - 4.57 mm -

宽度 - 3.94 mm -

高度 - 2.44 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作电压 - 100 V -

额定功率 - 600 W -

击穿电压 - 100 V -

电路数 - 1 -

钳位电压 - 162 V -

测试电流 - 1 mA -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 111 V 111 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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