对比图
型号 GS8182T18BGD-200T GS8182T18BGD-250 CY7C1318BV18-200BZC
描述 DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M18兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 GSI GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类
封装 LBGA BGA-165 LBGA
封装 LBGA BGA-165 LBGA
产品生命周期 Active Active Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度(Max) - 70 ℃ -
工作温度(Min) - 0 ℃ -