BZX55C4V7-TAP和BZX55C4V7RL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C4V7-TAP BZX55C4V7RL BZX79-C4V7

描述 500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDO-35 4.7V 0.5W(1/2W)NXP  BZX79-C4V7  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Axial

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35

引脚数 2 - 2

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 4.7 V 4.7 V 4.7 V

容差 ±5 % - -

额定功率 0.5 W - -

针脚数 2 - 2

正向电压 1.5V @200mA - -

测试电流 5 mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 200 ℃

耗散功率(Max) 0.5 W - -

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35

长度 3.9 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Each - Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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