IPB093N04LG和IPB093N04LGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB093N04LG IPB093N04LGATMA1 SFF70N04S.5

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorD2PAK N-CH 40V 50AN-CH 40V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Solid State Devices

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 D2PAK TO-263-3 -

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 47.0 W 47 W -

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 50A -

上升时间 - 2.8 ns -

输入电容(Ciss) - 2100pF @20V(Vds) -

下降时间 - 3.2 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 47W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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