SI7138DP-T1-E3和SI7138DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7138DP-T1-E3 SI7138DP-T1-GE3 SI7478DP-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8MOSFET 60V 30A 96W 7.8mohm @ 10VMOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8

引脚数 - 8 8

耗散功率 5.4W (Ta), 96W (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) 1.9 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 6900pF @30V(Vds) 6900pF @30V(Vds) -

耗散功率(Max) 5.4W (Ta), 96W (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) 1.9W (Ta)

漏源极电阻 - - 0.006 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - - 3 V

连续漏极电流(Ids) - 30.0 A 20.0 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SO-8 SO-8 PowerPAKSO-8

长度 - - 6.15 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 1.04 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

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