IS62WV5128BLL-55BI-TR和IS62WV5128BLL-55BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV5128BLL-55BI-TR IS62WV5128BLL-55BLI-TR

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 36Pin mBGA T/R静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 MBGA-36 MBGA-36

引脚数 - 36

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

存取时间 55.0 ns 55 ns

内存容量 4000000 B 4000000 B

电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

位数 - 8

存取时间(Max) - 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 MBGA-36 MBGA-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

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