PLVA659A和PLVA659A,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PLVA659A PLVA659A,215 PLVA659AT/R

描述 低电压雪崩调整二极管 Low-voltage avalanche regulator diodesTO-236AB 5.9V 0.25W(1/4W)Zener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

耗散功率 250 mW 0.25 W -

稳压值 5.9 V 5.9 V -

容差 - ±3 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 - 0.25 mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 250 mW -

耗散功率(Max) - 250 mW -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 - 2.4 mV/K -

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