BLF6G22LS-100和BLF6G22LS-75,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G22LS-100 BLF6G22LS-75,118 BLF6G22LS-100,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorBlf6g22ls-75 - 功率Ldmos晶体管Blf6g22ls-100 - 功率Ldmos晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOT502B SOT502B SOT502B

频率 - - 2.11 GHz

额定电流 - - 29 A

输出功率 - - 25 W

增益 - - 18.5 dB

测试电流 - - 950 mA

工作温度(Max) 225 ℃ - 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

封装 SOT502B SOT502B SOT502B

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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