对比图
型号 IXFA110N15T2 IXFP110N15T2
描述 TO-263AA N-CH 150V 110ATO-220AB N-CH 150V 110A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3
通道数 1 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 480 W 480 W
阈值电压 2.5 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 110A 110A
上升时间 16 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 8600pF @25V(Vds) 8600pF @25V(Vds)
下降时间 18 ns 18 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc)
漏源极电阻 11 mΩ -
漏源击穿电压 150 V -
封装 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free