IRFB23N15D和IRFB23N15DPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB23N15D IRFB23N15DPBF

描述 TO-220AB N-CH 150V 23AINFINEON  IRFB23N15DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220-3

额定功率 - 3.8 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.09 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3.80 W 136 W

阈值电压 - 5.5 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 23A

上升时间 32 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W

下降时间 8.4 ns 8.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 136W (Tc)

额定电压(DC) 150 V -

额定电流 23.0 A -

产品系列 IRFB23N15D -

漏源击穿电压 150 V -

长度 - 10.54 mm

宽度 - 4.69 mm

高度 - 19.3 mm

封装 TO-220 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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