BC846BW和BC846BWE6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BW BC846BWE6327 BC846W,115

描述 Transistor: NPN; bipolar; 80V; 100mA; 200mW; SOT323SOT-323 NPN 65V 0.1ASC-70 NPN 65V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 100 mA -

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

耗散功率 200 mW - 0.2 W

增益频宽积 100 MHz - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

频率 - - 100 MHz

最小电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 200 mW

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

材质 Silicon - -

工作温度 - - 150℃ (TJ)

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