对比图
型号 SPI11N60C3HKSA1 SPI11N60C3XKSA1
描述 TO-262 N-CH 600V 11AN沟道 650V 11A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 11A 11A
上升时间 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
下降时间 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)
额定功率(Max) - 125 W
长度 10.2 mm -
宽度 4.5 mm -
高度 9.45 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅